GD612 高精密固晶機 | |||||||||
固晶周期 | ≥450ms 精準模式:UPH5~8K/h 標準模式:UPH10~15K/h (實際產(chǎn)能取決于芯片與基板尺寸及制程工藝要求) | ||||||||
固晶位置精度 | 精準模式:±10um 標準模式:±20um | ||||||||
芯片角度精度 | 精準模式:±1° 標準模式:±3° | ||||||||
芯片尺寸 | 0.2*0.2-9*9mm | ||||||||
適用支架尺寸 | L:100-200mm W:50-120mm | ||||||||
設備外型尺寸(L*W*H) | 1760(正面長)*1390(側(cè)面縱深)*2165(高度)mm |
針對半導體領域、集成電路、消費電子、通信系統(tǒng)、封裝器件應用等領域而研發(fā)的固晶設備。
適配產(chǎn)品:半導體領域、QFN、DFN等多種晶粒/芯片類的產(chǎn)品固晶。
GD612 高精密固晶機 | |||||||||
固晶周期 | ≥450ms 精準模式:UPH5~8K/h 標準模式:UPH10~15K/h (實際產(chǎn)能取決于芯片與基板尺寸及制程工藝要求) | ||||||||
固晶位置精度 | 精準模式:±10um 標準模式:±20um | ||||||||
芯片角度精度 | 精準模式:±1° 標準模式:±3° | ||||||||
芯片尺寸 | 0.2*0.2-9*9mm | ||||||||
適用支架尺寸 | L:100-200mm W:50-120mm | ||||||||
設備外型尺寸(L*W*H) | 1760(正面長)*1390(側(cè)面縱深)*2165(高度)mm |